첨단 패터닝

패터닝

지난 수년간, 리소그래피의 진보와 재료 공학 기술이 함께 발전하여 형상 미세화 및 밀도 증가에 도움이 되었습니다. EUV는 단일 리소그래피로 25nm 형상을 만들 수 있는 능력을 구현한 큰 진전이었습니다. 오늘날에는 훨씬 더 작은 형상이 필요하며, 이미 EUV 이중 패터닝이 사용되고 있습니다. 미래에는 EUV 이중 패터닝을 단일 리소그래피로 대체하도록 개구수가 높은(high NA) EUV가 로드맵에 있습니다.

A number of materials engineering innovations need to happen to enable EUV scaling to continue, including replacing softer spin-on deposition films with more etch-resilient films. Stensar™ 첨단 패터닝 필름은 고객이 특정 두께와 식각 내성에 맞춰 EUV 하드마스크 레이어를 조정할 수 있도록 지원하여 웨이퍼 전체에 걸쳐 완벽에 가까운 EUV 패턴 전사 균일도를 달성할 수 있도록 도움을 줍니다.

EUV는 광자의 수가 적어서 확률적 불량이라고 하는 것이 발생하여 패터닝되는 라인, 스페이스 및 비아의 변동성이 생깁니다. EUV 패턴이 작을수록 구현하려는 형상에 비례하여 확률적 불량이 커집니다. Applied's Sym3^® Y Etch System enables customers to etch and deposit materials in the same chambers to heal stochastic errors and improve EUV patterns before they are etched into the wafer.

EUV 이중 패터닝은 끝단 간격을 줄여 소자 밀도를 더 높이는 데 일반적으로 사용되는 기술입니다. 이중 패터닝은 형상 밀도를 높이는 데 효과적이지만, 시간, 에너지, 재료 및 물을 소비하는 공정 단계와 함께 설계 및 패터닝의 복잡성을 높이고 웨이퍼 팹 및 웨이퍼 생산 비용을 증가시킵니다.  The Sculpta^® Pattern Shaping System helps chipmakers shrink designs without double patterning while also reducing energy and materials used in the process.

EUV 포토레지스트는 DUV 레지스트보다 두께가 얇고 약합니다. 기존의 전자빔 시스템과 에너지를 사용하여 확률적 결함을 찾고 임계 치수 및 오버레이를 측정하면 약한 레지스트 패턴을 변형시킬 수 있습니다. To help customers inspect more thoroughly during the after-development and after-etch stages of EUV, Applied's VeritySEM^® CD Metrology System uses lower energy to minimize interaction with the resist and a unique technology to improve EUV pattern image resolution, giving us sharp dark and light contrasts at low energy. 

EUV 이전에는 형상이 더 크고 광학 스크라이브 라인의 정렬을 통해 레이어를 적절하게 정렬할 수 있어 에지 배치가 훨씬 수월했습니다.  하지만 광학 프록시 타깃은 EUV로 만드는 형상보다 최소 10배 더 큽니다. 또한, 이중 패터닝과 같은 반복적인 공정 단계로 인해 변형이 생기고, 3차원 설계로 인해 스트레스 및 레이어 간 왜곡이 발생합니다. PROVision® 전자빔 시스템을 통해 엔지니어는 모든 EUV 레이어의 에지 배치를 동시에 확인하고 측정할 수 있습니다.