主流技术和新兴技术

 

 

主流技术

 

3D NAND


实现单元微缩和性能提升的材料创新和堆叠工程

技术手册

DRAM → 3D DRAM

用于 DRAM 和 3D DRAM 单元微缩和优化的材料堆叠工程

技术手册

FinFET → GAA


支持 FinFET 向 3D GAA/纳米片过渡的 HKMG 堆叠工程和量测

技术手册

 

 

新兴技术

 

相变存储器


捕捉硫属化物材料的完整物理特性,实现相变存储器(PCM)的微缩

 

技术手册

双向阈值

以物理/缺陷为中心的完整模型,实现先进存储器的双向阙值开关(OTS)选择器优化

技术手册

电阻式 RAM


再现离子/空位扩散、化学反应和统计数据,这些特性可以应用在人工智能芯片上。

 

技术手册

铁电

聚焦材料和原子缺陷,提升铁电器件(FeFET、FRAM)的性能和可靠性

 

技术手册

 

解决材料和堆叠工程难题